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氦質譜測漏儀 MOCVD 設備測漏
MOCVD ( Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) 是在氣相外延生長 (VPE) 的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術. MOCVD 是以Ⅲ族, Ⅱ族元素的有機化合物和V, Ⅵ 族元素的氫化物等作為晶體生長源材料, 以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延, 生長各種 Ⅲ-V族, Ⅱ-Ⅵ 族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料. 通常 MOCVD 系統中的晶體生長都是在常壓或低壓 (10-100Torr) 下通H2的冷壁石英 (不銹鋼)反應室中進行, 襯底溫度為 500-1200℃, 用直流加熱石墨基座 (襯底基片在石墨基座上方), H 2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區.

MOCVD 設備需要測漏: 因為MOCVD生長使用的源是易燃, 易爆, 毒性很大的物質, 並且要生長多組分, 大面積, 薄層和超薄層異質材料. 因此在MOCVD系統的設計思想上, 必須考慮系統密封性.對於氣體的輸運系統, 管路和管道的接頭等存在洩漏可能的部位需要重點排查, 保證反應系統無洩漏是MOCVD設備組裝的關鍵之一.

伯東公司 MOCVD 設備測漏客戶案例一: 某公司通過 MOCVD 生長出來的發光材料, 用於製備 OLED 燈, 經過伯東推薦選用移動式氦質譜測漏儀 ASM  390 + 遙控器, 方便系統測漏操作.

	測漏儀配有乾式非接觸式前級真空泵和渦輪分子泵, 滿足半導體行業要求! 檢測氣體: 4He, 3He, H2 最小檢測漏率: 真空模式: 1X10-12 mbar l/s 吸槍模式: 1X10-8 mbar l/s 對氦氣的抽速: 10 l/s 前級泵抽速: 35 m3/h
	因為 MOCVD 的腔室都比較大, 焊接點偏多, 我們推薦客戶使用適用于遠端操作的無線遙控器, 方便用戶一個人邊噴氦氣的同時邊測漏操作.

伯東公司 MOCVD 設備測漏客戶案例二: 某大型 LED 生產企業，共計採購24台氦質譜測漏儀 ASM 390 用於 MOCVD 設備測漏.

伯東公司 MOCVD 設備測漏客戶案例三: 某 LED 生產企業, 累積採購 6台 ASM 340 用於設備測漏
MOCVD 需要測漏位置: 所有懷疑有漏的地方都需要進行測漏, 主要測漏源供給, 輸運和尾氣處理系統（例如管路接頭、管道、焊縫等位置.
根據客戶實際需要，MOCVD 測漏基本配置：氦質譜測漏儀 ASM 340 +乾式真空泵 ACP 28 如下圖所示：

MOCVD設備測漏方法：採用真空模式測漏
1. 將設備通過波紋軟管連接測漏儀 ASM 340，確認連接完畢
2. 啟動 ASM 340, 進入待機介面; 初次啟動時間大約 3min, 以後啟動 < 1min
3. 按下開始鍵, 先通過 bypass 閥門啟動乾式真空泵 ACP 28抽真空, 到達一定壓力測漏儀 ASM 340開始工作, 同時在設備懷疑有漏的地方噴氦氣; 若有漏, 測漏儀馬上報警, 顯示該噴射點有漏.
4. 檢測完畢, 按下測漏儀待機鍵, 放氣, 關閉電源, 移除連接管路.

結合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家測漏儀的技術優勢, 伯東德國 Pfeiffer 推出全系列新型號氦質譜測漏儀, 從可擕式測漏儀到工作臺式測漏儀滿足各種不同的應用. 氦質譜測漏儀替代傳統泡沫測漏和壓差測漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可精確定位, 定量漏點. 氦質譜測漏儀滿足單機測漏, 也可集成在測漏系統或 PLC. 推薦氦質譜測漏儀應用 >>

鑒於客戶資訊保密, 若您需要進一步的瞭解 MOCVD 設備測漏, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107             T: +886-3-567-9508 ext 161
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