KRi 離子源
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源大中華地區總代理.
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霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 自動控制器
射頻離子源 RFICP 380
大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 30cm, 滿足 300 mm (12英寸) 晶圓應用
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 380 |
100-1200 V |
>1500 mA |
30 cm Φ |
平行, 聚焦, 散射 |
射頻離子源 RFICP 220
高能量柵極離子源, 適用於離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸)晶圓應用
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 220 |
100-1200 V |
>800 mA |
20 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 140
緊湊的有柵極離子源, 非常適用於離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 140 |
100-1200 V |
>600 mA |
14 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 100
適用於離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >350 mA 離子流.
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 100 |
100-1200 V |
>350 mA |
10 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 40
RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
霍爾離子源 eH 400
低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統
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型號 |
離子束能量 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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eH 400 |
25-300eV |
> 750mA |
3.7” |
> 45°散射 |
霍爾離子源 eH 1000
eH 1000 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統. 通常應用於離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻
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型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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eH 1000 |
100-300 V |
10A |
5.7” |
> 45°散射 |
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