KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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KRI 考夫曼離子源 KDC 75

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

伯東公司代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用於中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

型號

KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用, 自對準

 -柵極直徑

7.5 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

7.9'

 - 直徑

5.5'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-24”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 啟動 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE


客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統組態
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75考夫曼离子源 KDC 75

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