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Atonarp 過程監控質譜儀 Aston™, 通過使用分子傳感技術, 提供半導體制程中  ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產中的氣體偵測分析, 實現尾氣線上監控, 診斷, Aston 質譜儀為半導體過程控制提供解決方案, 提高半導體製造工藝的產量, 吞吐量和效率.

Aston™ 質譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 在惡劣的 CVD 環境中, Aston™ 利用可操作的數據預測和預防因 PV-CVD 乾泵引起的災難性故障, 優化氮氣吹掃成本.

Aston™ 質譜分析儀是一款快速, 強大的化學特異性氣體質譜儀, 提供 ALD 程序控制解決方案, 可在這些非等離子體(“lights-off”) 過程中提供原位計量和控制. 它可以實現快速, 化學特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水準, 提供有效 ALD 程序控制所需的即時資料.

EUV 極紫外光刻技術越來越多地用於支援 <10nm 工藝技術的關鍵尺寸圖案形成. 管理這些價值超過 2億美元光刻機的正常執行時間和生產量對晶圓 Fab 廠的經濟至關重要. 伯東公司日本 Atonarp Aston™ 在线質譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數據實現了最佳的反射板鍍錫層清潔, 並且 Aston™ 質譜仪的即時氫氣 H₂ 監測也降低了每個 EUV 工具的氫氣消耗.

沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關鍵指標之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進以降低每次移動成本和減少資本支出的關鍵指標. 伯東公司日本 Atonarp Aston™ 質譜儀提供腔室清潔終點檢測方案已成功應用於 low-k 電介質沉積應用 ( 特別是氮化矽 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產時間.

使用 Atonarp Aston™ 質譜分析儀, 可以根據進入的廢氣濃度和測量的排放氣體資料, 記錄日誌, 對減排燃燒過程進行現場優化控制, 以記錄環境合規性. Aston™ Plasma 質譜分析儀能夠承受嚴酷的 PFC 和酸性 (如 HF 和 HCl ）氣體, 並能提供低至 PPB 水準的靈敏度.  通過快速, 準確的現場計量, 實現高效的減排氣體監測和廢氣環境合規性.

為了確保一致和優化的接觸蝕刻, 需要高靈敏度的原位分子診斷來提供蝕刻副產物的即時測量和量化, 並能夠檢測到明確定義的終點. 隨著接觸開口面積 OA% 的減少, 諸如光學發射光譜 OES 等傳統計量解決方案缺乏準確檢測蝕刻終點的靈敏度（低信噪比 SNR 比）.  Aston™ 質譜儀 的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES（LOD 約 2.5%）高出一個數量級.

Aston™ 支持原位質譜, 無需使用傳統氣相色譜質譜解決方案即可進行快速, 定量的氣體分析. 樣品可以在幾秒鐘內完成分析, 靈敏度達到十億分之幾, 無需專業技術人員支持即可輕鬆實現. 高度集成和緊湊的 Aston ICP-MS 系統的尺寸通常不到傳統 GC-MS 的三分之一, 體積小且堅固耐用, 無需專門的處理或載氣瓶即可運輸到現場進行測試.

伯東公司 Aston™ 質譜的設計初衷是為了滿足原位分子分析的需求, 從而實現 EPCO, Aston 強大的即時原位分子感測器解決方案具有許多先進的性能優勢

Aston™ 原位質譜儀可以進行快速, 化學特異性原位定量氣體分析, 以實現安全, 準確和高效的腔室吹掃終點檢測. 與典型的基於時間的清洗程式相比, 這可以節省大量的設備停機時間.