霍爾離子源 eH 400
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霍爾離子源 eH 400

美國 KRi 霍爾離子源 eH 400
伯東公司代理美國原裝進口 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流 > 750 mA, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用於離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

KRi 霍爾離子源 eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比
低離子能量通過避免高能離子對表面和介面的轟擊損傷而使產量更大化
寬束, 發散離子束通過均勻地覆蓋沉積區從而增加每次加工零件數量來提高輸送量
堅固耐用的模組化結構降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網, 緊湊設計, 方便加裝, 提供離子協助工具
KRi 霍爾離子源 eH 400

KRi 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號

eH 400

陽極

DC

陽極電流(最大)

5A

離子束流(最大)

>750mA

陽極電壓範圍

40-300V

離子能量範圍

25-300eV

陽極功率(最大)

500W (輻射冷卻)

氣體

惰性氣體和反應氣體

氣體流量

3-30 sccm

壓力

< 1 x 10-3 Torr

離子束流直徑

4cm Φ

離子束髮散角度

> 45° (hwhm)

陰極中和器

沉浸式或非沉浸式

高度

3.0” (7.62cm)

直徑

3.7” (9.4cm)


KRi 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
電子束蒸發, 磁控濺射中的 IBAD 輔助鍍膜
沉積前的預清潔
類金剛石碳塗層
低能離子束蝕刻
離子束濺射

KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設備: 美國進口 e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: EH 400
應用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 從而導致薄膜的緻密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積.
KRi 霍爾離子源 eH 400
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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