IBE 離子束蝕刻機

Hakuto 日本原裝設計製造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用於反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

真空蝕刻設備


本公司推出的 iRP 是一部單腔批次式的電漿清潔與表面改質系統

Hakuto 離子蝕刻機

伯東離子蝕刻機對磁性材料, 黃金, 鉑和合金金屬提供蝕刻技術. 適合做各種材料的蝕刻.

型號

4 IBE

7.5 IBE

16 IBE

20 IBE-C

MEL 3100

樣品數量尺寸

4”φ, 1片

4”φ, 1片

6”φ, 1片

4”φ, 6片
6”φ, 4片

3”φ-6”φ,1片

均勻性

≤±5%

≤±5%

≤±5%

≤±5%

≤±5%

 

離子蝕刻機 4 IBE

小型離子蝕刻機, 適用於科研院所, 實驗室研究
樣品數量尺寸: 4”φ, 1片
配置考夫曼離子源 KDC 40

离子刻蚀机

 

離子蝕刻機 7.5 IBE

小型離子蝕刻機, 適用於科研院所, 實驗室研究
樣品數量尺寸: 4”φ, 1片
配置考夫曼離子源 KDC 75

离子蚀刻机

 

離子蝕刻機 10 IBE

小型離子蝕刻機, 適用於科研院所, 實驗室研究
樣品數量尺寸: 4”φ, 1片

离子刻蚀机

 

離子蝕刻機 20 IBE-C

伯東離子蝕刻機主要優點:
1. 乾式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什麼材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

 

 

離子蝕刻機 20 IBE-J

伯東離子蝕刻機主要優點:
1. 乾式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什麼材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.

全自動離子刻蝕機 MEL 3100

全自動離子刻蝕機,
樣品數量尺寸: 3”φ - 6”φ,1片

全自动离子刻蚀机

 

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