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氦質譜測漏儀封裝鐳射晶片測漏
鐳射晶片是光通信設備的重要組成部分, 具有高回波損耗, 低插入損耗; 高可靠性, 穩定性, 機械耐磨性和抗腐蝕性, 易於操作等特點. 鐳射晶片在 Box 內封裝, 對密封性的要求極高, 伯東公司客戶某生產鐳射晶片客戶採購乾式氦質譜測漏儀 ASM 340 D 進行封裝鐳射晶片的洩漏檢測.

封裝鐳射晶片需要測漏: 鐳射晶片在 Box 內進行封裝, 封裝完成後的鐳射晶片漏率要求小於 5×10-8mbar.l/s, 如果密封性不夠會影響其使用性能和精度, 因此需要進行洩漏檢測.

封裝鐳射晶片測漏方法
鐳射晶片在 Box 內封裝後, 需要對其本身的密封性進行洩漏測試. 由於封裝鐳射晶片器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 伯東公司推薦使用氦質譜測漏儀“背壓法”測漏, 具體做法如下:
1. 將被檢封裝鐳射晶片放入真空保壓罐, 壓力和時間根據漏率大小設定

2. 取出封裝鐳射晶片, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 將封裝鐳射晶片放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜測漏儀進氣口

4. 啟動氦質譜測漏儀, 真空模式下, 漏率值設定為 5×10-8mbar.l/s 進行測漏.

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