KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學零件表面超精加工常用的最後一道工藝, 離子源是離子束拋光機的核心部件. 伯東公司美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用於光學鍍膜離子束拋光機 IBF Optical coating 及晶體矽片離子束拋光機 IBF Clrystalline )工藝.
考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行. 伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源離子束拋光實際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
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離子束拋光前平坦度影像呈現圖 |
離子束拋光後平坦度影像呈現圖 |
KRI 離子源離子束拋光實際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體矽片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
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離子束拋光前平坦度影像呈現圖 |
離子束拋光後平坦度影像呈現圖 |
KRI 離子源實際安裝案例一: KDC 10 使用於光學鍍膜離子束拋光機
KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用於晶體矽片離子束拋光機
伯東公司美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
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型號 |
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電壓 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
1 |
1 |
2 |
2 |
2 |
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- 陽極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
電子束 |
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- 柵極 |
專用,自對準 |
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- 柵極直徑 |
1 cm |
4 cm |
7.5 cm |
12 cm |
16 cm |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源中國總代理.
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