KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean
伯東公司美國 KRi 霍爾離子源 EH 400F 應用於 6寸矽片電源管理積體電路晶片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝 Pre-clean, 在電源管理積體電路晶片 PMIC 的壓電材料鍍膜前有效的將矽片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產良率.
電源管理積體電路晶片鍍膜時常用的材料, 例如: 鈮酸鋰 LiNbO3 , 鈦酸鋇 BaTi03 , 鋯鈦酸鉛 PTZ, 氧化鋅 ZnO , 氮化鋁 AiN … 膜層與矽片會有脫膜及電性阻抗問題. 美國 KRI 霍爾離子源有最高廣角的涵蓋面積 >45ﾟ, 及高解離率獲得高密度的離子濃度, 在電源管理積體電路晶片 PMIC 的壓電材料鍍膜前有效的將矽片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產良率.
電源管理積體電路晶片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝
設備: 5只靶材複合性濺鍍機
基材: 6 存矽片
真空系統: 伯東公司美國 HVA 高真空插板閥 + 伯東 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍爾離子源: EH 400F
預清潔工藝離子源條件: Vd:120V (離子束陽極電壓), Id:3.5A (離子束陽極電流), Ar gas: 20sccm (氬氣).
腔體中 KRi 霍爾離子源 EH 400 本體, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm
伯東公司美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機尺寸, 基材尺寸, 工藝條件選擇適合型號
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型號 |
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中和器 |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
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離子束陽極電壓 |
50-300 V |
50-300 V |
50-300 V |
50-250 V |
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離子束陽極電流 |
5A |
10A |
10A |
20A |
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散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
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氣體流量 |
2-25 sccm |
2-50 sccm |
2-75 sccm |
5-100 sccm |
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本體高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
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直徑 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
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水冷 |
可選 |
可選 |
是 |
可選 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode;
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