KRI 霍爾離子源典型應用 IBE 離子刻蝕
離子源應用於離子刻蝕 IBE
伯東公司代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產品霍爾離子源 EH400 HC 成功應用於離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 霍爾源單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應用于蝕刻制程及基板前處理制程.
霍爾離子源客戶案例一: 某大學天文學系小尺寸刻蝕設備
系統功能: 對於 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸矽晶片.
刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用伯東公司美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝於刻蝕腔體內
離子源 EH400HC 自動控制單元
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
對於 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
對於 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 Å/Sec
鑒於資訊保密. 更詳細的離子源應用歡迎撥打客服熱線：021-5046-3511
霍爾離子源 EH400HC 特性:
高離子濃度, 低離子能量
離子束涵蓋面積廣
鍍膜均勻性佳
提高鍍膜品質
模組化設計, 保養快速方便
增加光學膜後折射率 (Optical index)
全自動控制設計, 操作簡易
低耗材成本, 安裝簡易
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