KRi 射頻離子源典型應用: 12英寸和 8英寸 IBE 離子刻蝕機
客戶案例一: 伯東公司美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用於 12英寸和 8英寸磁記憶體刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 製造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用於 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.
作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
客戶案例二: 射頻離子源 RFICP 220 集成於半導體設備, 實現 8寸晶片蝕刻
------------ 伯東公司美國 KRI 射頻離子源 RFICP 220安裝於蝕刻機中--------
客戶案例三: KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用於半導體後端的 6寸晶圓進行刻蝕
Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:
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型號 |
NS 7.5IBE |
NS 10IBE |
NS 20IBE-C |
NS 20IBE-J |
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適用範圍 |
適用於科研院所,實驗室研究 |
適合小規模量產使用和實驗室研究 |
適合中等規模量產使用的離子刻蝕機 |
適合大規模量產使用的離子刻蝕機 |
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基片尺寸 |
Φ4 X 1片或 |
φ8 X 1片 |
φ3 inch X 8片 |
Φ4 inch X 12片 |
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8cm 或 10cm |
10cm NS離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
伯東公司美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子源是製造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的緻密性光透射,均勻性,附著力等
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