市場訊息
MOCVD 是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術. MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料, 以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延, 生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料, 這些生長源材料是易燃、易爆、毒性很大的物質, 並且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質材料. 因此在MOCVD系統的設計思想上, 通常要考慮系統密封性, 流量、溫度控制要精確, 組分變換要迅速, 系統要緊湊等.
因此, 在設備出廠時必須要考慮密封性, 否則一旦有毒物質洩漏, 後果不堪設想！
伯東客戶廈門某大型 LED 生產企業, 近日成功採購6台氦質譜測漏儀 ASM 340 用於 MOCVD 設備測漏.
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伯東客戶某大型 LED 生產企業 MOCVD 設備測漏實例：
MOCVD 需要測漏位置：所有懷疑有漏的地方都需要進行測漏, 主要測漏源供給、輸運和尾氣處理系統（例如管路接頭、管道、焊縫等位置）.
根據客戶實際需要, MOCVD 測漏基本配置：氦質譜測漏儀 ASM 340 +幹式真空泵 ACP 28 如下圖所示：
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MOCVD設備測漏方法：採用真空模式測漏
1. 將設備通過波紋軟管連接測漏儀 ASM 340, 確認連接完畢
2. 啟動 ASM 340, 進入待機介面；初次啟動時間大約 3min, 以後啟動 < 1min
3. 按下開始鍵, 先通過 bypass 閥門啟動幹式真空泵 ACP 28抽真空, 到達一定壓力測漏儀 ASM 340開始工作, 同時在設備懷疑有漏的地方噴氦氣；若有漏, 測漏儀馬上報警, 顯示該噴射點有漏.
4. 檢測完畢, 按下測漏儀待機鍵, 放氣、關閉電源, 移除連接管路.
* 鑒於資訊保密, 更詳細的MOCVD設備測漏方法歡迎致電 021-5046-3511
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氦質譜測漏儀 ASM 340 優點:
1. 前級泵配備旋片泵（油泵）Adixen Pascal 1015 I 抽速高達15 m3/h
2. 分流式分子泵 Pfeiffer Splitflow 50 對氦氣抽速 2.5 l/s
3. 氦質譜測漏儀 ASM 340 對氦氣的最小檢測漏率：
真空模式: 5E-13 Pa m3/s
吸槍模式: 5E-10 Pa m3/s 目前業界公認最小漏律
4. 移動式操作面板（有線, 無線）
5. 集成 SD卡, 方便資料處理
6. 抗破大氣, 抗震動, 降低由操作失誤帶來的風險性
7. 豐富的可選配件, 如吸槍, 遙控器, 小推車, 旁路裝置, 標準漏孔等
8. 檢測時間短
伯東 Pfeiffer Vacuum 德國普發真空產品授權代理商, 銷售維修普發 Pfeiffer 真空產品已餘20年. 可協助客戶選型並提供完善的售後維修服務. 擁有100% 原裝進口維修設備和備品配件, 提供快速維修服務.
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