KRI 離子源應用於磁控共濺鍍設備 Co-sputter

KRI 離子源應用於磁控共濺鍍設備  Co-sputter
伯東公司代理美國 KRI 考夫曼離子源應用於磁控共濺鍍設備 Co-sputter 實現高品質的複合式薄膜!
磁控共濺鍍主要用於複合金屬或複合材料, 通過分別優化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率來控制薄膜品質, 其薄膜厚度取決於濺鍍時間.
特殊系統設計的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的制程條件, 為客戶提供更好品質的複合式薄膜.
KRI 離子源應用於磁控共濺鍍設備  Co-sputter
濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber,可節省其製程腔體的抽氣時間,進而節省整體實驗時間.
KRI 離子源應用於磁控共濺鍍設備  Co-sputter
-------------------------------- 伯東公司美國 KRI 離子源安裝於濺鍍腔中 ----------------------------------------

通過使用伯東公司 KRI 離子源可用於基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密.
濺鍍腔中在載台部分可獨立施打偏壓, 對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能

伯東公司美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源大中华地区總代理.

若您需要進一步的瞭解詳細資訊或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-03-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-03-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw