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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜

 

立方氮化硼(cBN)由於具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長範圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學元件表面塗層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣塗覆層等方面具有很大的應用潛力.

 

在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

型號

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

  

該實驗中, 採用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為矽片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N2的混合氣體.

 

磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加緻密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬於幹法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.

 

實驗結果:

採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時, 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

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