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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜

 

在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質具有優異的物理和化學特性, 一直是材料學研究的熱點.  研究發現, 對成分和結構的調控可實現薄膜材料的性能轉變, 進而獲得能滿足不同性能需求的薄膜.

 

在 對 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大學科研課題租採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉積條件及熱處理條件對其組織結構和力學性能的影響.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

型號

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加緻密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬於幹法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.

 

該實驗專案採用 Ti/ B4C 複合靶作為靶材, 通過磁控濺射方法沉積了成分、結構可調的 Ti-B-C薄膜. 在沉積試驗之前, 背底氣壓低於510-3Pa, 再採用 Ar 離子濺射清洗30min, 工作氣壓為0.5Pa.

 

利用 X 射線光電子能譜 (XPS) 和 X 射線衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和結構, 利用納米壓痕法測量了 Ti-B-C 薄膜的力學性能.

 

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

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