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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積製備碳薄膜
北京某研究院採用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積製備碳薄膜, 同時在室溫和無催化層襯底的條件下, 探究離子束能量和沉積時間對碳納米薄膜成膜的影響.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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該濺射沉積是在氣壓為 1.33×10-4Pa 和襯底溫度為室溫條件下,利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射石墨, 在無催化層的矽(Si)襯底上加工碳納米薄膜.
通過拉曼光譜對碳納米薄膜表面物質的組成進行了分析; 利用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)來顯示薄膜的表面結構; 實驗結果顯示, 輻照時間對 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有顯著的影響, 並且高離子束能量能夠促進碳晶粒的結晶. 同時, 在高能量的離子束下沉積碳納米薄膜, 在 Si 表面發現了特殊圖案的碳納米結構: 雪花狀, 方塊狀及四角星狀.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
因此, 該研究專案才採用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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