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伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術獲取高反射吸收Ta2O5薄膜
為了獲取高性能紫外鐳射薄膜元件, 急需研製紫外高吸收薄膜, 某研究所採用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術鍍制Ta2O5薄膜進行研究.
其系統工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片台等部分組成.
其中雙離子源中的一個離子源適用於濺射靶材, 另個離子源是用於基材的預清洗.
用於濺射的離子源採用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數如下:
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伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：
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射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用於預清洗的離子源是採用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術參數:
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離子源型號
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eH3000 |
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Cathode/Neutralizer |
HC |
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電壓 |
50-250V |
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電流 |
20A |
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散射角度 |
>45 |
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可充其他 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
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氣體流量 |
5-100sccm |
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高度 |
6.0“ |
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直徑 |
9.7“ |
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水冷 |
可選 |
其濺射室需要沉積前本底真空抽到1×10-5Pa, 經推薦採用伯東泵組 Hicube 80 Pro, 其技術參數如下：
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進氣法蘭 |
氮氣抽速 |
極限真空 hpa |
前級泵 型號 |
前級泵抽速 |
前級真空 |
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DN 40 ISO-KF |
35 |
< 1X10-7 |
Pascal 2021 |
18 |
AVC 025 MA |
運行結果：
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術可以製備不同吸收率的355nm高反射吸收Ta2O5薄膜.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 測漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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