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伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP380 輔助離子束濺射鍍制 SiO_2薄膜

 

二氧化矽 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優點常作為絕緣層材料在薄膜感測器生產中得到廣泛應用。某光學薄膜製造商為了獲得高品質的 SiO_2薄膜引進伯東 KRI 聚焦型射頻離子源  RFICP 380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.

 

該製造商的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片台、真空氣路系統以及控制系統等部分組成.

 

離子源濺射離子源採用進口的KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380,其參數如下:

 

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

射頻離子源型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由:

1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度,提高濺射率

2. 另一方面減小離子束的散射面積,減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

其真空氣路系統真空系統需要沉積前本底真空抽到8×10-4Pa, 經推薦採用伯東泵組  Hicube 80 Pro,其技術參數如下:

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術參數

進氣法蘭

氮氣抽速
 N2,l/s

極限真空 hpa

前級泵

型號

前級泵抽速
 m³/h

前級真空
安全閥

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

 

運行結果:

  1. SiO_2薄膜沉積速率比以前更加快速
  2. 薄膜均勻性明顯提高
  3. 成膜品質高、膜層緻密、缺陷少

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵測漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫衝擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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