KRi 離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源大中華地區總代理.
KRI 考夫曼離子源
            霍爾離子源                               射頻離子源                        考夫曼離子源                                   自動控制器  

霍爾離子源 eH 2000

eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

eH 2000

50-250 V

10A

5.7”

> 45°散射

霍爾離子源 eH 3000

適合大型真空系統, eH 3000 是目前市場上最高效, 提供最高離子束流的離子源.

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

eH 3000

50-250 V

20A

9.7”

> 45°散射

線性霍爾離子源 eH Linear

線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應用於寬範圍的襯底, 離子源長度高達 1 米, 通過嚴格調整模組間的距離可以實現最佳的均勻性和離子流

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

eH Linear

50-300 V

NA

NA

> 45°散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 10

適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

KDC 10

100-1200 V

>10 mA

1 cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 40

小型低成本直流柵極離子源

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

KDC 40

100-1200 V

>100 mA

4cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

緊湊柵極離子源

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

KDC 40

100-1200 V

>250 mA

7.5cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 100

廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

KDC 100

100-1200 V

>400 mA

12cm Φ

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 160

考夫曼 KDC 系列最大, 離子能量最強的柵極離子源, 適用於已知的所有離子源應用

型號

離子束動能

最大離子束流

柵極直徑

離子束流形狀

KDC 160

100-1200 V

>650 mA

16cm Φ

聚焦, 平行, 散射

e-Mission Filament

KRI Ion Source e-Mission Filament

Model

HFx

SHC 1000

DSHC 1000

Cathode

Yes

Yes

Yes

Neutralizer

Yes

Yes

Yes

Orientation

Vertical / Horizontal

Vertical / Horizontal

Vertical / Horizontal

Regulation

Emission

Emission

Emission

e-Mission Hollow Cathodes

Model

HFx

SHC 1000

DSHC 1000

Cathode

Yes

Yes

Yes

Neutralizer

Yes

Yes

Yes

Orientation

Vertical / Horizontal

Vertical / Horizontal

Vertical / Horizontal

Regulation

Emission

Emission

Emission

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E-mail contact

+886-2-8772-8910