KRi 離子源
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 伯東公司是美國考夫曼離子源大中華地區總代理.
霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 自動控制器
霍爾離子源 eH 2000
eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
eH 2000 |
50-250 V |
10A |
5.7” |
> 45°散射 |
霍爾離子源 eH 3000
適合大型真空系統, eH 3000 是目前市場上最高效, 提供最高離子束流的離子源.
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
eH 3000 |
50-250 V |
20A |
9.7” |
> 45°散射 |
線性霍爾離子源 eH Linear
線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應用於寬範圍的襯底, 離子源長度高達 1 米, 通過嚴格調整模組間的距離可以實現最佳的均勻性和離子流
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
eH Linear |
50-300 V |
NA |
NA |
> 45°散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10
適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 10 |
100-1200 V |
>10 mA |
1 cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 40
小型低成本直流柵極離子源
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 75
緊湊柵極離子源
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 40 |
100-1200 V |
>250 mA |
7.5cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 100 |
100-1200 V |
>400 mA |
12cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 160
考夫曼 KDC 系列最大, 離子能量最強的柵極離子源, 適用於已知的所有離子源應用
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 160 |
100-1200 V |
>650 mA |
16cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
e-Mission Filament
KRI Ion Source e-Mission Filament
Model |
HFx |
SHC 1000 |
DSHC 1000 |
---|---|---|---|
Cathode |
Yes |
Yes |
Yes |
Neutralizer |
Yes |
Yes |
Yes |
Orientation |
Vertical / Horizontal |
Vertical / Horizontal |
Vertical / Horizontal |
Regulation |
Emission |
Emission |
Emission |
e-Mission Hollow Cathodes
Model |
HFx |
SHC 1000 |
DSHC 1000 |
---|---|---|---|
Cathode |
Yes |
Yes |
Yes |
Neutralizer |
Yes |
Yes |
Yes |
Orientation |
Vertical / Horizontal |
Vertical / Horizontal |
Vertical / Horizontal |
Regulation |
Emission |
Emission |
Emission |
+886-2-8772-8910